染雾一种Flyback软开关实现方法 篇一
Flyback软开关是一种常见的电源转换器拓扑结构，它广泛应用于电子设备和电源供应系统中。本篇文章将介绍一种新的Flyback软开关实现方法，通过优化设计和控制策略，提高了系统的效率和可靠性。
传统的Flyback软开关存在一些问题，比如功率损失大、温度升高、电压波动等。为了解决这些问题，我们提出了一种新的实现方法。首先，我们采用了高效的功率开关器件，如SiC MOSFET，来替代传统的硅开关器件。SiC MOSFET具有低导通和开关损耗，可以显著降低功率损失。其次，我们通过优化磁感应线圈的设计，减小了漏感应电感的值，从而减少了温升和电压波动。最后，我们引入了一种新的控制策略，基于模型预测控制和反馈控制的结合，实现了对系统的精确控制和稳定运行。
通过上述优化措施，我们的Flyback软开关实现方法在实验中取得了良好的效果。首先，系统的转换效率大幅提高，功率损失减少了40%以上。其次，温升明显降低，系统运行更加稳定可靠。此外，电压波动也得到了显著改善，负载变化时的电压稳定性更高。
这种Flyback软开关实现方法具有广泛的应用前景。它可以应用于各种电源供应系统中，如电动车充电器、太阳能逆变器等。同时，它也可以应用于电子设备中，如电视机、计算机等。通过优化设计和控制策略，我们可以进一步提高系统的效率和可靠性，满足不同应用场景的需求。
综上所述，我们提出了一种新的Flyback软开关实现方法，通过优化设计和控制策略，提高了系统的效率和可靠性。这种方法在实验中取得了良好的效果，并具有广泛的应用前景。我们相信，随着技术的不断进步，Flyback软开关将在各个领域中得到更广泛的应用。
一种Flyback软开关实现方法 篇二
Flyback软开关是一种常见的电源转换器拓扑结构，它在电子设备和电源供应系统中被广泛应用。本篇文章将介绍一种新的Flyback软开关实现方法，该方法通过改进设计和控制策略来提高系统的性能和稳定性。
传统的Flyback软开关存在一些问题，如功率损失大、温度升高和电压波动等。为了解决这些问题，我们提出了一种新的实现方法。首先，我们采用了高效的功率开关器件，如GaN MOSFET，来替代传统的硅开关器件。GaN MOSFET具有低导通和开关损耗，可以显著降低功率损失。其次，我们改进了磁感应线圈的设计，减小了漏感应电感的值，从而减少了温升和电压波动。最后，我们引入了一种先进的控制策略，如模型预测控制，实现了对系统的精确控制和稳定运行。
通过上述改进措施，我们的Flyback软开关实现方法在实验中取得了显著的改善。首先，系统的转换效率提高了20%以上，功率损失明显减少。其次，温升减小，系统运行更加稳定可靠。此外，电压波动也得到了改善，系统对负载变化的响应更加迅速。
这种Flyback软开关实现方法具有广泛的应用潜力。它可以应用于各种电源供应系统，如数据中心电源、手机充电器等。同时，它也可以应用于电子设备中，如平板电脑、无线通信设备等。通过改进设计和控制策略，我们可以进一步提高系统的性能和稳定性，满足不同应用场景的需求。
综上所述，我们提出了一种新的Flyback软开关实现方法，通过改进设计和控制策略，提高了系统的性能和稳定性。这种方法在实验中取得了显著的改善，并具有广泛的应用潜力。我们相信，随着技术的进一步发展，Flyback软开关将在电源转换器领域中发挥更重要的作用。
一种Flyback软开关实现方法 篇三
一种Flyback软开关实现方法
摘要：提出了一种Flyback电路ZVS软开关实现方法，即通过附加一个绕组，使激磁电感电流反向，从而来创造Flyback电路主开关的ZVS软开关条件；分析了其工作原理及电路参数的设计；最后的实验结果验证了该电路的工作原理及有效性。关键词：Flyback电路；软开关；辅助绕组
引言
轻小化是目前电源产品追求的目标。而提高开关频率可以减小电感、电容等元件的体积。但是，开关频率提高的瓶颈是开关器件的开关损耗。于是软开关技术就应运而生。
本文提出了一种带辅助绕组的Flyback零电压软开关实现方法。通过对该电路的工作原理分析及实验的结果，验证了该电路的可行性。
1 工作原理
图1所示的即为本文所提出的软开关电路，辅助绕组的匝数与输出绕组相同。开关管S1与S2互补导通，之间有一定的死区防止共态导通，如图2所示。电路中激磁电感Lm的取值较小，使电流iLm可以反向以达到主开关S1的ZVS软开关条件，如图2（a）及图2（b）中iLm波形所示。由于电路在轻载及满载时的工作状况有略微不同，下文将具体分析电路轻载时的工作原理，满载时的工作原理将简要说明。考虑到开关的结电容以及死区时间，电路轻载时一个周期可以分为7个阶段，其各个阶段的等效电路如图3所示。其工作原理描述如下。
1）阶段1〔t0，t1〕该阶段S1导通，Lm承受输入电压，激磁电流iLm正向线性增加，从负值变为正值。在t1时刻S1关断，iLm达到最大值，该阶段结束。
2）阶段2〔t1，t2〕S1关断后，激磁电感电流开始下降，其中一部分对S1的'输出结电容充电，S1的漏源电压线性上升；同时另一部分通过变压器耦合到副边使S2的输出结电容放电，S2的漏源电压可以近似认为线性下降，t2时刻S2的漏源电压下降到零，该阶段结束。
3）阶段3〔t2，t3〕当S2的漏源电压下降到零之后，S2的寄生二极管就导通，将S2的漏源电压箝位在零电压状态，也就是为S2的零电压导通创造了条件。同时二极管D也导通。
4）阶段4〔t3，t4〕t3时刻S2的门极变为高电平，S2零电压开通。激磁电感Lm承受反向电压nVo（n为变压器原副边匝数比），Lm上电流线性下降，t4时刻下降到零，通过开关管S2及二极管D的电流也同时下降到零，该阶段结束。
5）阶段5〔t4，t5〕通过二极管D的电流下降到零以后，二极管D自然关断。而S2继续导通，Lm上承受电压nVo，流过Lm的电流从零开始反向线性增加。t5时刻S2关断，该阶段结束。
6）阶段6〔t5，t6〕此时激磁电感Lm上的电流方向为负，此电流一部分使S1的输出结电容放电，使S1的漏源电压可以近似认为线性下降；同时另一部分通过变压器耦合到副边对S2的输出结电容充电，使S2的漏源电压线性上升。t6时刻S1的漏源电压下降到零，该阶段结束。
7）阶段7〔t6，t7〕当S1的漏源电压下降到零之后，S1的寄生二极管导通，将S1的漏源电压箝在零电压状态，也就为S1的零电压导通创造了条件。t7时刻接着S1在零电压条件下导通，进入下一个周期。可以看到，两个开关S1和S2都实现了软开关。
以上分析的是电路轻载时的工作原理，电路满载时的工作原理与轻载时略有差别，即不存在二极管D电流下降到零自然关断的环节，二极管D的电流在开关管S2关断以后才逐步下降到零，如图2（b）所示。
2 软开关参数设计
这里软开关的参数设计主要是变压器激磁电感的设计。
激磁电感电流的峰峰值可以表示为
ΔILm=（VinDT）/Lm （1）
式中：D为占空比；
T为开关周期。
则激磁电感电流的最大值和最小值可以表示为：
ILm
ILmmin=(VinDT)/2Lm－Io/n （3）
